มีการเปิดเผยข้อมูลออกมาว่าทาง Samsung เตรียมที่จะผลิตชิปเซ็ตขนาด 3 นาโนเมตร ออกมาภายในช่วงสัปดาห์หน้า ซึ่งหากเกิดขึ้นจริงจะทำให้พวกเขากลายมาเป็นผู้นำในการผลิตแซงหน้า TSMC ที่จะเริ่มทำการผลิตในช่วงปลายปีนี้ทันที

สำหรับสิ่งที่เราจะได้เห็นจากการผลิตชิปเซ็ตขนาด 3 นาโนเมตรจากทาง Samsung คงหนีไม่พ้นเรื่องของขนาดพื้นที่การใช้งานที่จะลดลงไป 35 เปอร์เซ็นต์ ประสิทธิภาพในการทำงานที่เพิ่มขึ้น 30 เปอร์เซ็นต์ และสุดท้ายคือเรื่องของการใช้พลังงานที่จะลดลงไปถึง 50 เปอร์เซ็นต์

ตัวเลขดังกล่าวที่ถูกนำเสนอออกมาเป็นการนำไปเทียบกับชิปเซ็ตขนาด 5 นาโนเมตรที่มีการใช้งานอยู่ใน Snapdragon 888 และ Exynos 2100 ในส่วนของการออกแบบจะใช้งานทรานซิสเตอร์แบบจัดเรียง Gate-All-Around (GAA) เป็นการต่อยอดขึ้นมาจาก FinFET 

สิ่งที่ต้องมาพิจารณากันอีกคือเรื่องของความสำเร็จที่จะผลิตชิปเซ็ตดังกล่าวว่าจะออกมาได้ดีมากน้อยเพียงใด แม้ว่าทาง Samsung จะเผยว่าโอกาสที่จะทำได้จริงเทียบเท่ากับ 4 นาโนเมตรก็ตาม แต่ตัวเลขที่แท้จริงยังไม่เคยได้ถูกเปิดเผยออกมาให้เราได้ทราบกัน

อย่าลืม! กด Subscribe และกดกระดิ่ง ที่

>> เข้ากลุ่มคนไทยพูดคุยเกี่ยวกับ <<

ที่มา: GSMArena